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DSB5712E3中文資料美高森美數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

DSB5712E3
廠商型號(hào)

DSB5712E3

功能描述

Schottky Barrier Diode Qualified per MIL-PRF-19500/444

文件大小

459.63 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

MICROSEMI美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-18 10:52:00

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DSB5712E3規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

This Schottky barrier diode is metallurgically bonded and offers military grade qualifications for high-reliability applications on “1N” prefixed numbers. This small diode is hermetically sealed and bonded into a DO-35 glass package.

FEATURES

? JEDEC registered 1N5711-1, 1N5712-1, 1N6857-1, and 1N6858-1 numbers.

? Metallurgically bonded.

? JAN, JANTX, JANTXV and commercial qualifications also available per MIL-PRF-19500/444 on “1N” numbers only. (See Part Nomenclature for all available options).

? RoHS compliant versions available (commercial grade only).

APPLICATIONS / BENEFITS

? Low reverse leakage characteristics.

? Small size for high density mounting using flexible thru-hole leads (see package illustration).

? ESD sensitive to Class 1.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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