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HRDB423	文件：643.31 Kbytes Page：2 Pages	Delay-on-BreakTimer Description TheHRDBSeriescombinesanelectromechanical,relayoutput withmicrocontrollertimingcircuitry.TheHRDBoffers12to230V operationinfiveoptionsandfactoryfixed,external,oronboard adjustabletimedelayswitharepeataccuracyof±0.5.The isolatedoutputcontactrating	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
ICX423	文件：161.49 Kbytes Page：16 Pages	Diagonal11mm(Type2/3)CCDImageSensorforCCIRB/WVideoCameras Description TheICX423ALisaninterlineCCDsolid-stateimagesensorsuitableforCCIRB/Wvideocameraswithadiagonal11mm(Type2/3)system.ComparedwiththecurrentproductICX083AL,basiccharacteristicssuchassensitivityandsmearareimproveddrasticallyandhighsaturationcharacteri	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
ICX423AL	文件：161.49 Kbytes Page：16 Pages	Diagonal11mm(Type2/3)CCDImageSensorforCCIRB/WVideoCameras Description TheICX423ALisaninterlineCCDsolid-stateimagesensorsuitableforCCIRB/Wvideocameraswithadiagonal11mm(Type2/3)system.ComparedwiththecurrentproductICX083AL,basiccharacteristicssuchassensitivityandsmearareimproveddrasticallyandhighsaturationcharacteri	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
IFN423	文件：72.21 Kbytes Page：1 Pages	DualN-ChannelSiliconJunctionField-EffectTransistor DualN-ChannelSiliconJunctionField-EffectTransistor ●VeryHighInputImpedanceDifferentialAmplifiers ●Electrometers	InterFET InterFET Corporation	InterFET
IRF423	文件：211.15 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導體	Samsung
IRF423	文件：69.48 Kbytes Page：7 Pages	2.2Aand2.5A,450Vand500V,3.0and4.0Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforappli	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF423	文件：157.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,3.0A,450V/500V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRF423	文件：48.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRF423	文件：142.02 Kbytes Page：3 Pages	2.2Aand2.5A,450Vand500V,3.0and4.0Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司	NJSEMI
IRF423	文件：381.94 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP

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