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DS127

Reliability and robustness

DS1270AB

16M非易失SRAM; ? 在沒有外部電源的情況下最少可以保存數(shù)據(jù)5年\n? 掉電期間數(shù)據(jù)被自動保護\n? 沒有寫次數(shù)限制\n? 低功耗CMOS操作\n? 70ns的讀寫存取時間 \n? 第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài)\n? ±10% VCC工作范圍(DS1270Y) \n? 可選擇±5% VCC工作范圍(DS1270AB)\n? 可選的-40°C至+85°C工業(yè)級溫度范圍，指定為IND;

DS1270 16M非易失SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)、寫保護將無條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。該器件沒有寫次數(shù)限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。\n\n

DS1270W

3.3V、16Mb非易失SRAM; ? 在沒有外部電源的情況下最少可以保存數(shù)據(jù)5年 \n? 掉電期間數(shù)據(jù)被自動保護 \n? 沒有寫次數(shù)限制 \n? 低功耗CMOS操作 \n? 100ns的讀寫存取時間 \n? 第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài) \n? 可選的-40°C至+85°C工業(yè)級(IND)溫度范圍;

DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)、寫保護將無條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。該器件沒有寫次數(shù)限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。

DS1270AB

16M Nonvolatile SRAM

DS1270AB

16M Nonvolatile SRAM

DS1270AB-100

16M Nonvolatile SRAM

DS1270AB-100IND

16M Nonvolatile SRAM

DS1270AB-70

16M Nonvolatile SRAM

DS1270AB-70#

16M Nonvolatile SRAM

DS1270AB-70IND

16M Nonvolatile SRAM