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DS1258W-100IND集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

DS1258W-100IND
廠商型號(hào)

DS1258W-100IND

參數(shù)屬性

DS1258W-100IND 封裝/外殼為40-DIP 模塊(0.610",15.495mm);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP

功能描述

3.3V 128k x 16 Nonvolatile SRAM

封裝外殼

40-DIP 模塊(0.610",15.495mm)

文件大小

205.84 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Maxim Integrated Products
企業(yè)簡(jiǎn)稱

MAXIM美信

中文名稱

美信半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
MAXIM
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-3 15:01:00

人工找貨

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    DS1258W-100IND

  • 制造商:

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    NVSRAM

  • 技術(shù):

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲(chǔ)容量:

    2Mb(128K x 16)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    100ns

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    40-DIP 模塊(0.610",15.495mm)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    40-EDIP

  • 描述:

    IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Maxim Integrated
23+
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