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DS1250BL-70-IND

4096K Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS12504096KNonvolatileSRAMsare4,194,304–bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself–containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout–of–tolerancecondition.Whensuchacondit

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導體

DS1250BL-70-IND

Package:34-LPM;包裝:管件 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 34LPM

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術有限公司

DS1250BL-70

4096KNonvolatileSRAM

DESCRIPTION TheDS12504096KNonvolatileSRAMsare4,194,304–bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself–containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout–of–tolerancecondition.Whensuchacondit

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    DS1250BL-70-IND

  • 制造商:

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    NVSRAM

  • 技術:

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲容量:

    4Mb(512K x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    70ns

  • 電壓 - 供電:

    4.75V ~ 5.25V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    34-LPM

  • 供應商器件封裝:

    34-LPM

  • 描述:

    IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 34LPM

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多DS1250BL-70-IND供應商 更新時間2025-7-25 18:22:00