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DS1250BL-100-IND

4096K Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS12504096KNonvolatileSRAMsare4,194,304–bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself–containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout–of–tolerancecondition.Whensuchacondit

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導體

DS1250BL-100

4096KNonvolatileSRAM

DESCRIPTION TheDS12504096KNonvolatileSRAMsare4,194,304–bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself–containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout–of–tolerancecondition.Whensuchacondit

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亞德諾亞德諾半導體

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15年芯片行業(yè)經(jīng)驗/只供原裝正品:0755-83267371鄒小姐
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更多DS1250BL-100-IND供應商 更新時間2025-7-22 14:34:00

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