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DS1245YL

1024K Nonvolatile SRAM

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DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1245YL

1024K Nonvolatile SRAM

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導(dǎo)體

DS1245YL-100

1024K Nonvolatile SRAM

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DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1245YL-100-IND

1024K Nonvolatile SRAM

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DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1245YL-70

1024K Nonvolatile SRAM

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DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1245YL-70-IND

1024K Nonvolatile SRAM

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DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1245YL-100

Package：34-LPM；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 34LPM

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1245YL-70

Package：34-LPM；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 34LPM

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1245YL-70IND

Package：34-LPM；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 34LPM

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    DS1245YL

  • 功能描述：

    IC NVSRAM 1MBIT 100NS 34LPM

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    150

  • 系列：

    - 格式 -

  • 存儲器：

    EEPROMs - 串行

  • 存儲器類型：

    EEPROM

  • 存儲容量：

    4K(2 x 256 x 8)

  • 速度：

    400kHz

  • 接口：

    I²C，2 線串口

  • 電源電壓：

    2.5 V ~ 5.5 V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼：

    8-VFDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    8-DFN（2x3）

  • 包裝：

    管件

  • 產(chǎn)品目錄頁面：

    1445(CN2011-ZH PDF)

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
DALLAS
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2405+
原廠封裝
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15年芯片行業(yè)經(jīng)驗(yàn)/只供原裝正品:0755-83267371鄒小姐
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更多DS1245YL供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-27 9:17:00

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