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DS1245Y_10集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
DS1245Y_10 |
| 參數(shù)屬性 | DS1245Y_10 封裝/外殼為32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP |
| 功能描述 | 1024k Nonvolatile SRAM |
| 封裝外殼 | 32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm） |
| 文件大小 |
229.51 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | DALLAS Dallas Semiconductor |
| 中文名稱 | 亞德諾 亞德諾半導體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-16 16:52:00 |
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產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
DS1245Y-100+
- 制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
托盤
- 存儲器類型：
非易失
- 存儲器格式：
NVSRAM
- 技術：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
- 存儲容量：
1Mb（128K x 8）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字，頁：
100ns
- 電壓 - 供電：
4.5V ~ 5.5V
- 工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）
- 供應商器件封裝：
32-EDIP
- 描述：
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MAXIM/美信 |
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