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DS1230W-150+

Package：28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1230W-150

3.3V256kNonvolatileSRAM

DESCRIPTION TheDS1230W3.3V256kNonvolatileSRAMisa262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitry,whichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacond

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1230WP-150+

ADI(亞德諾)/MAXIM(美信)
SMD-34P

ADI(亞德諾)/MAXIM(美信)

相關(guān)企業(yè)：深圳市宇創(chuàng)芯科技有限公司

ADI(亞德諾)/MAXIM(美信)

DS1230Y-120+

ADI(亞德諾)/MAXIM(美信)
DIP-28

ADI(亞德諾)/MAXIM(美信)

相關(guān)企業(yè)：深圳市宇創(chuàng)芯科技有限公司

ADI(亞德諾)/MAXIM(美信)

DS1230Y-120IND+

ADI(亞德諾)/MAXIM(美信)
DIP-28

ADI(亞德諾)/MAXIM(美信)

相關(guān)企業(yè)：深圳市宇創(chuàng)芯科技有限公司

ADI(亞德諾)/MAXIM(美信)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    DS1230W-150+

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    NVSRAM

  • 技術(shù)：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲容量：

    256Kb（32K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    150ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    28-EDIP

  • 描述：

    IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Maxim(美信)
24+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
10115
原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號開票。
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MAXIM
20+
DIP-28
504
全新原裝公司現(xiàn)貨
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28-DIP
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更多DS1230W-150+供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 16:26:00

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