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DS1220Y-200IND+

Package:24-DIP 模塊(0.600",15.24mm);包裝:管件 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1220Y-200

16kNonvolatileSRAM

DESCRIPTION TheDS1220Y16kNonvolatileSRAMisa16,384-bit,fullystatic,nonvolatileRAMorganizedas2048 wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrythat constantlymonitorVCCforanout-of-tolerancecondition. FEATURES 10ye

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    DS1220Y-200IND+

  • 制造商:

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲(chǔ)器類型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    NVSRAM

  • 技術(shù):

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲(chǔ)容量:

    16Kb(2K x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    200ns

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    24-DIP 模塊(0.600",15.24mm)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    24-EDIP

  • 描述:

    IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多DS1220Y-200IND供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 16:30:00