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DRV8876RGTT

H-Bridge Motor Drivers With Integrated Current Sense and Regulation

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德州儀器美國德州儀器公司

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=121A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

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仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=73A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8.2mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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N-ChannelPowerTrench?MOSFET

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FEATURES ·DrainCurrent–ID=70A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8.7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv

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無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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N-ChannelPowerTrenchMOSFET

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N-ChannelPowerTrench?MOSFET30V,12.5A,8.2m廓

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更多DRV8876RGTT供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-26 11:10:00

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