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DNA30E2200FE

Single Diode

SingleDiode Features/Advantages: ●Planarpassivatedchips ●Verylowleakagecurrent ●Verylowforwardvoltagedrop ●Improvedthermalbehaviour Applications: ●Diodeformainrectification ●Forsingleandthreephase bridgeconfigurations

IXYS

IXYS Corporation

DNA30E2200FE

≥2000V的高電壓二極管;

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

DNA30E2200FE

Package：TO-251-2，IPak；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4PAC

IXYS

IXYS Corporation

DNA30E2200IY

SingleDiode

SingleDiode Features/Advantages: ●Planarpassivatedchips ●Verylowleakagecurrent ●Verylowforwardvoltagedrop ●Improvedthermalbehaviour Applications: ●Diodeformainrectification ●Forsingleandthreephase bridgeconfigurations

IXYS

IXYS Corporation

DNA30E2200PA

SingleDiode

SingleDiode Features/Advantages: ●Planarpassivatedchips ●Verylowleakagecurrent ●Verylowforwardvoltagedrop ●Improvedthermalbehaviour Applications: ●Diodeformainrectification ●Forsingleandthreephase bridgeconfigurations

IXYS

IXYS Corporation

DNA30E2200PC

HighVoltageStandardRectifier

IXYS

IXYS Corporation

DNA30E2200PZ

HighVoltageStandardRectifier

IXYS

IXYS Corporation

DNA30E2200PZ

SingleDiode

SingleDiode Features/Advantages: ●Planarpassivatedchips ●Verylowleakagecurrent ●Verylowforwardvoltagedrop ●Improvedthermalbehaviour Applications: ●Diodeformainrectification ●Forsingleandthreephase bridgeconfigurations

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    DNA30E2200FE

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝：

    管件

  • 二極管類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    30A

  • 速度：

    標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）

  • 不同?Vr、F 時(shí)電容：

    7pF @ 700V，1MHz

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-251-2，IPak

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    i4-PAC

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -55°C ~ 175°C

  • 描述：

    DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4PAC

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IXYS/艾賽斯
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IXYS/艾賽斯全新特價(jià)DNA30E2200FE即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
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更多DNA30E2200FE供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 20:12:00

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