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DMT8012LSS

80V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET; 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production\nHigh Conversion Efficiency\nLow RDS(ON) – Minimizes On-State Losses\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed;

This new generation N-Channel Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize RDS(ON), yet maintain superior switching performance.

DiodesDiodes Incorporated

美臺半導體

DMT8012LSS

80V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

DMT8012LSS-13

80V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

DMTH8012LPS

80V175CN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

DMTH8012LPSQ

N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

DMTH8012LPSW

N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

技術(shù)參數(shù)

  • Automotive Compliant PPAP：

    No

  • Polarity：

    N

  • ESD Diodes：

    No

  • VDS：

    80 V

  • VGS：

    20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C：

    9.7 A

  • PD @ TA = +25°C：

    2 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)：

    16.5 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：

    20 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max：

    3 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：

    15 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)：

    34 nC

  • Packages：

    SO-8

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多DMT8012LSS供應商 更新時間2025-7-30 16:20:00

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