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DMT10H015LPS

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET; Low On-Resistance\nFast Switching Speed\nLow Threshold\nLow Gate Drive\nLow Input Capacitance;

This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

DiodesDiodes Incorporated

美臺(tái)半導(dǎo)體

DMT10H015LPS

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺(tái)半導(dǎo)體

DMT10H015LPS

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺(tái)半導(dǎo)體

DMT10H015LPS_17

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺(tái)半導(dǎo)體

DMT10H015LPS-13

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺(tái)半導(dǎo)體

DMT10H015LPS-13

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺(tái)半導(dǎo)體

技術(shù)參數(shù)

  • Automotive Compliant PPAP：

    On Request*

  • Polarity：

    N

  • ESD Diodes：

    No

  • VDS：

    100 V

  • VGS：

    20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C：

    7.3 A

  • PD @ TA = +25°C：

    1.3 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)：

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：

    25 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max：

    3 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：

    N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)：

    33.3 nC

  • Packages：

    PowerDI5060-8

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
DIODES/美臺(tái)
22+
PowerDI5060-8
90000
正規(guī)代理渠道假一賠十
 詢價(jià)
DIODES/美臺(tái)
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SMD
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DIODES原裝優(yōu)勢(shì)主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
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更多DMT10H015LPS供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 16:20:00

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