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DMS2120LFWB中文資料P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH INTEGRATED SBR數據手冊Diodes規(guī)格書

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廠商型號

DMS2120LFWB

功能描述

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH INTEGRATED SBR

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名稱

美臺半導體

數據手冊

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更新時間

2025-9-8 17:02:00

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DMS2120LFWB規(guī)格書詳情

特性 Features

Low On-Resistance95mΩ @VGS = -4.5V120mΩ @VGS = -2.5V150mΩ (typ) @VGS = -1.8VLow Gate Threshold Voltage, -1.3V MaxFast Switching SpeedLow Input/Output LeakageIncorporates Low VF Super Barrier Rectifier (SBR)Low Profile, 0.5mm Max HeightLead Free/RoHS Compliant\"Green\" DeviceQualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

技術參數

  • 制造商編號

    :DMS2120LFWB

  • 生產廠家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :On Request*

  • Config/ Polarity

    :P + 20V SBR

  • ESD Diodes

    :Yes Y/N

  • VDS

    :20 V

  • VGS

    :12 ±V

  • IDS @ TA = +25°C

    :2.9 A

  • PD @ TA = +25°C

    :1.5 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :95 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)

    :120 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)

    :150 mΩ

  • VGS (th) Max

    :1.3 V

  • CISS Typ @VDS = -10V

    :632 pF

  • V(BR)R (V) Min @IR=400uA

    :20

  • VF(V) Max @ IF=100mA

    :N/A

  • VF(V) Max @ IF=1A

    :0.52

  • VF(V) Max @ IF=2A

    :N/A

  • IR(uA) Max @ VR=5V

    :N/A

  • IR(uA) Max @ VR=30V

    :N/A

  • Packages

    :W-DFN3020-8 (Type B)

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
DIODES/美臺
21+
QFN
30000
百域芯優(yōu)勢 實單必成 可開13點增值稅
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2600
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QFN
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DIODES/美臺
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QFN
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專業(yè)配單保證原裝正品假一罰十
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