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DMP2010UFG

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET; Low RDS(ON) Ensures On State Losses Are Minimized\nSmall Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher?Density End Products\nOccupies Just 33% of The Board Area Occupied by SO-8?Enabling Smaller End Product;

This new generation MOSFET is designed to minimize the onstate resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

DiodesDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMP2010UFG

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMP2010UFG-13

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMP2010UFG-7

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMP2010UFV

20VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DSC2010

Low-JitterConfigurableCMOSOscillator

MicrelMicrel Semiconductor

麥瑞半導(dǎo)體

DSC2010AS-KDPB

Double-SidedChipResistors

TTELECTT Electronics.

TT電子公司梯梯電子集成制造服務(wù)(蘇州)有限公司

DSC2010AS-KFPB

Double-SidedChipResistors

TTELECTT Electronics.

TT電子公司梯梯電子集成制造服務(wù)(蘇州)有限公司

DSC2010AS-KJPB

Double-SidedChipResistors

TTELECTT Electronics.

TT電子公司梯梯電子集成制造服務(wù)(蘇州)有限公司

DSC2010AS-MDPB

Double-SidedChipResistors

TTELECTT Electronics.

TT電子公司梯梯電子集成制造服務(wù)(蘇州)有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Automotive Compliant PPAP：

    No

  • Polarity：

    P

  • ESD Diodes：

    No

  • VDS：

    20 V

  • VGS：

    10 ±V

  • IDS @ TA = +25°C：

    12.7 A

  • PD @ TA = +25°C：

    2.3 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)：

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：

    9.5 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：

    12.5 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max：

    1.2 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：

    50 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)：

    103 nC

  • Packages：

    PowerDI3333-8

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多DMP2010UFG供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 16:20:00

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