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DMP2006UFG

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET;

This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

DiodesDiodes Incorporated

美臺半導體

DMP2006UFG

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

DMP2006UFG

Qualified to AEC-Q101 standards for High Reliability

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

DMP2006UFG_15

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI?

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

DMP2006UFG_17

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

DMP2006UFG-13

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI?

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

DMP2006UFG-13

Qualified to AEC-Q101 standards for High Reliability

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

DMP2006UFG-13

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

DMP2006UFG-7

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI?

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

DMP2006UFG-7

Qualified to AEC-Q101 standards for High Reliability

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

技術(shù)參數(shù)

  • Automotive Compliant PPAP：

    DMP2006UFGQ

  • Polarity：

    P

  • ESD Diodes：

    No

  • VDS：

    20 V

  • VGS：

    10 ±V

  • IDS @ TA = +25°C：

    17.5 A

  • PD @ TA = +25°C：

    2.3 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)：

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：

    5.5 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：

    7.5 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：

    12 mΩ

  • VGS (th) Max：

    1 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：

    64 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)：

    140 nC

  • Packages：

    PowerDI3333-8

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
DIODES/美臺
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DIODES/美臺全新特價DMP2006UFG即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
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進口原裝正品優(yōu)勢供應
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更多DMP2006UFG供應商 更新時間2025-7-30 19:27:00

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