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DMP1008UCA9中文資料P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)Diodes規(guī)格書(shū)

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廠商型號(hào)

DMP1008UCA9

功能描述

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名稱

美臺(tái)半導(dǎo)體

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-12 17:52:00

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DMP1008UCA9規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

This 3rd generation Lateral MOSFET (LD-MOS) is engineered to minimize on-state losses and switch ultra-fast, making it ideal for high efficiency power transfer. It uses Chip-Scale Package (CSP) to increase power density by combining low thermal impedance with minimal RDS(ON) per footprint area.

特性 Features

?LD-MOS Technology with the Lowest Figure of Merit:
?RDS(ON) = 5.7mΩ to Minimize On-State Losses
?Qg = 9.5nC for Ultra-Fast Switching
?VGS(TH) = -0.7V Typ. for a Low Turn-On Potential
?CSP with Footprint 1.5mm x 1.5mm
?Height = 0.34mm for Low Profile
?ESD Protection of Gate

應(yīng)用 Application

?DC-DC Converters
?Battery Management
?Load Switch

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :DMP1008UCA9

  • 生產(chǎn)廠家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :No

  • Polarity

    :P

  • ESD Diodes

    :Yes

  • VDS

    :-8 V

  • VGS

    :6 ±V

  • IDS @ TA = +25°C

    :-16 A

  • PD @ TA = +25°C

    :2.2 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :5.7 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)

    :8.2 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)

    :9.1 mΩ

  • VGS (th) Max

    :-1.1 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)

    :9.5 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :N/A nC

  • Packages

    :X2-DSN1515-9

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
DIODES/美臺(tái)
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