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DMNH6008SCT

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET; Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application\nLow Input Capacitance\nLow Input/Output Leakage;

This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.

DiodesDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMNH6008SCT

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMNH6008SCT

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

DMNH6008SCTQ

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET; Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application \nLow Input Capacitance\nLow Input/Output Leakage;

This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AECQ101 and supported by a PPAP.

DiodesDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMNH6008SCTQ

Low Input Capacitance

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMNH6008SPS

N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMNH6008SPSQ

FastSwitchingSpeed

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMT6008LFG

N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

EH6008B

SINGLEPHASEBRIDGEMODULES

SinglePhaseBridgeModules ●InternalTransientSupression ●HighTerminal-to-baseIsolationof2500VACRMS ●Availableto1200V ●MountingBoltsIsolationFromPowerTeminals

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

FKD6008

N-Ch60VFastSwitchingMOSFETs

Description TheFKD6008isthehighcelldensitytrenched N-chMOSFETs,whichprovideexcellentRDSON andgatechargeformostofthesynchronousbuck converterapplications. TheFKD6008meettheRoHSandGreenProduct requirement,100EASguaranteedwithfull functionreliabilityapproved.

FETEKFETek Technology Corp.

臺灣東沅東沅科技股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Automotive Compliant PPAP：

    DMNH6008SCTQ

  • Polarity：

    N

  • ESD Diodes：

    No

  • VDS：

    60 V

  • VGS：

    20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C：

    N/A A

  • PD @ TA = +25°C：

    N/A W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)：

    8 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max：

    4 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：

    40 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)：

    21 nC

  • Packages：

    TO220AB

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多DMNH6008SCT供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 14:16:00

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