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DMN10H099SFGQ-7中文資料美臺半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

DMN10H099SFGQ-7
廠商型號

DMN10H099SFGQ-7

功能描述

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI?

絲印標(biāo)識

N12

封裝外殼

POWERDI3333-8

文件大小

285.78 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

DIODES

中文名稱

美臺半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-17 15:28:00

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DMN10H099SFGQ-7規(guī)格書詳情

特性 Features

? Low RDS(ON) ensures on-state losses are minimized.

? Small form factor thermally efficient package enables higher

density end products.

? Occupies just 33 of the board area occupied by SO-8, enabling

smaller end product.

? Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

? Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

? PPAP Capable (Note 4)

Applications

? Power Management Functions

? DC-DC Converters

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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