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DMG4710SSS-13中文資料美臺(tái)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
DMG4710SSS-13 |
| 功能描述 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE |
| 文件大小 |
175.23 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | DIODES |
| 中文名稱 | 美臺(tái)半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-1 16:44:00 |
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DMG4710SSS-13規(guī)格書詳情
Description and Applications
This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
? DC-DC Converters
? Power management functions
特性 Features
? DIOFET utilizes a unique patented process to monolithically
integrate a MOSFET and a Schottky in a single die to deliver:
? Low RDS(ON) - minimizes conduction losses
? Low VSD - reducing the losses due to body diode conduction
? Low Qrr - lower Qrr of the integrated Schottky reduces body
diode switching losses
? Low gate capacitance (Qg/Qgs) ratio – reduces risk of
shoot-through or cross conduction currents at high frequencies
? Avalanche rugged – IAR and EAR rated
? Lead Free, RoHS Compliant (Note 1)
? Green Device (Note 2)
? Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
DMG4710SSS-13
- 功能描述：
MOSFET MOSFET N-CHANNEL
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美臺(tái) |
1942+ |
SOP-8 |
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Diodes Incorporated |
2022+ |
8-SOIC(0.154 |
38550 |
詢價(jià) |
