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DMG3415UFY4-7中文資料美臺半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

DMG3415UFY4-7
廠商型號

DMG3415UFY4-7

功能描述

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件大小

149.27 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

DIODES

中文名稱

美臺半導(dǎo)體

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-17 11:30:00

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DMG3415UFY4-7規(guī)格書詳情

Description and Applications

This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.

? Backlighting

? Power Management Functions

? DC-DC Converters

Features and Benefits

? Low On-Resistance

? Low Input Capacitance

? Fast Switching Speed

? Low Input/Output Leakage

? ESD Protected Up To 3kV

? Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

? Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

? An Automotive-Compliant Part is Available Under Separate Datasheet (DMG3415UFY4Q)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    DMG3415UFY4-7

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFET P-CHAN.

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
DIODES/美臺
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只做自己庫存 全新原裝進(jìn)口正品假一賠百 可開13%增
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