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DME375A分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

DME375A
廠商型號

DME375A

參數(shù)屬性

DME375A 封裝/外殼為55AW;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 55V 1.15GHZ 55AW

功能描述

375 Watts, 50 Volts, Pulsed Avionics 1025-1150 MHz

封裝外殼

55AW

文件大小

347.42 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

GHZTECH

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-14 10:46:00

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DME375A規(guī)格書詳情

GENERAL DESCRIPTION

The DME375A is a high power COMMON BASE bipolar transistor. It is designed for pulsed systems in the frequency band 1025-1150 MHz. The device has gold thin-film metallization for proven highest MTTF. The transistor includes input and output prematch for broadband capability. Low thermal resistance package reduces junction temperature, extends life.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    DME375A

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    55V

  • 頻率 - 躍遷:

    1.025GHz ~ 1.15GHz

  • 增益:

    6.5dB

  • 功率 - 最大值:

    375W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 300mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    30A

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    55AW

  • 供應商器件封裝:

    55AW

  • 描述:

    RF TRANS NPN 55V 1.15GHZ 55AW

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