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DMC3016LNS

COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET; Low On-Resistance\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nLow Input/Output Leakage\nComplementary Pair MOSFET;

This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

DiodesDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMC3016LNS

COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMC3016LSD

COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEMOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMN3016LDN

LowOn-Resistance

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMN3016LDV

DUAL30VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMN3016LFDE

LowGateThresholdVoltage

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMN3016LFDF

N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMN3016LPS

LowInputCapacitance

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMN3016LSS

LowOn-Resistance

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMN3016LSS

30VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

技術(shù)參數(shù)

  • Automotive Compliant PPAP：

    No

  • Polarity：

    N+P

  • ESD Diodes：

    No

  • VDS：

    30 V

  • VGS：

    20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C：

    9

  • PD @ TA = +25°C：

    2 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)：

    16

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：

    20

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max：

    2

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：

    9.5 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)：

    21

  • Packages：

    PowerDI3333-8 (Type UXB)

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多DMC3016LNS供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 10:51:00

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