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FDMS9620S	文件：279.43 Kbytes Page：9 Pages	DualN-ChannelPowerTrench?MOSFETQ1:30V,16A,21.5m廓Q2:30V,18A,13m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FM9620	文件：195.08 Kbytes Page：8 Pages	2ASynchronousMobilePowerIC	FUMANFine Made Microelectronics Group Co.,Ltd. 富滿微富滿微電子集團(tuán)股份有限公司	FUMAN
GSC9620	文件：308.77 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
GSC9620	文件：308.77 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
IRF9620	文件：160.83 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-200V,Rds(on)=1.5ohm,Id=-3.5A) Description TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHEXFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. ?Dynamicd	IRF International Rectifier	IRF
IRF9620	文件：58.57 Kbytes Page：7 Pages	3.5A,200V,1.500Ohm,P-ChannelPowerMOSFET ThisP-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,testedandguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitchingr	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF9620	文件：1.92643 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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IRF9620	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
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