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首頁>DGTD65T15H2TF>規(guī)格書詳情

DGTD65T15H2TF數(shù)據(jù)手冊分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號

DGTD65T15H2TF

參數(shù)屬性

DGTD65T15H2TF 封裝/外殼為TO-220-3 全封裝,隔離接片;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT600V-XITO-220AB

功能描述

650V FIELD STOP IGBT

封裝外殼

TO-220-3 全封裝,隔離接片

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名稱

美臺半導體

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-15 13:34:00

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DGTD65T15H2TF規(guī)格書詳情

描述 Description

The DGTD65T15H2TF is produced using advanced Field Stop Trench IGBT Technology, which provides high performance, excellent quality and high ruggedness.

特性 Features

?High ruggedness for Motor Control
?VCE(sat) Positive Temperature Coefficient
?Very Soft, Fast Recovery Anti-Parallel Diode
?Low EMI
?Maximum Junction Temperature 175°C

應用 Application

?Motor Controls

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :DGTD65T15H2TF

  • 生產(chǎn)廠家

    :Diodes

  • IC @ +25°C (A)

    :30 A

  • IC @ +100°C (A)

    :15 A

  • VCE(sat) max @ +25°C (V)

    :2 V

  • VCE(sat) typ @ +25°C (V)

    :1.65 V

  • EON typ @ +25°C (mJ)

    :0.27 mJ

  • EOFF typ @ +25°C (mJ)

    :0.086 mJ

  • Power Dissipation @ TC = +25°C (W)

    :48 W

  • Short Circuit (μs)

    :5 μs

  • Anti Parallel Diode

    :Yes

  • Packages

    :ITO220AB (Type MC)

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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