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DGD2190S8-13集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
DGD2190S8-13 |
參數(shù)屬性 | DGD2190S8-13 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為管件;類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO |
功能描述 | HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER IN SO-8 |
封裝外殼 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
文件大小 |
690.42 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
11 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Diodes Incorporated |
企業(yè)簡稱 |
DIODES【美臺半導體】 |
中文名稱 | 美臺半導體官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-7-16 10:51:00 |
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產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
DGD2190S8-13
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 類別:
集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器
- 包裝:
管件
- 驅(qū)動配置:
半橋
- 通道類型:
獨立式
- 柵極類型:
IGBT,N 溝道 MOSFET
- 電壓 - 供電:
10V ~ 20V
- 邏輯電壓?- VIL,VIH:
0.8V,2.5V
- 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):
4.5A,4.5A
- 輸入類型:
非反相
- 上升/下降時間(典型值):
25ns,20ns
- 工作溫度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商器件封裝:
8-SO
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES INC. |
22+ |
NA |
13160 |
原裝正品支持實單 |
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DIODES/美臺 |
24+ |
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TDK/東電化 |
21+ |
SMD |
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DIODES/美臺 |
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