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IRF441	文件：211.25 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowBoston)athighvoltage ?ImprovedInductiveruggedness ?Excellenthighvoltagestability ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolyslllcongatecellstructure ?LowInputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability ?TO-3package(Highvol	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導體	Samsung
IRF441	文件：137.56 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowBoston)athighvoltage ?ImprovedInductiveruggedness ?Excellenthighvoltagestability ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolyslllcongatecellstructure ?LowInputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability ?TO-3package(Highvol	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRF441	文件：271.96 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. ●VGSRatedat±20V ●SiliconGateforFastSwitchingSpe	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRFP441R	文件：703.77 Kbytes Page：2 Pages	AvalancheEnergyRatedN-ChannelPowerMOSFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRFP441R	文件：67.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFS441	文件：265.48 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFS441	文件：343.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=450V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.85Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFS441	文件：343.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=450V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.85Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
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