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DFN1006B-3中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

DFN1006B-3
廠商型號

DFN1006B-3

功能描述

PNP resistor-equipped transistor; R1 = 10 k廓, R2 = open

文件大小

617.19 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導體(中國)有限公司

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-8 19:55:00

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DFN1006B-3規(guī)格書詳情

General description

PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PDTC114TMB.

Features and benefits

■ 100 mA output current capability

■ Reduces component count

■ Built-in bias resistors

■ Reduces pick and place costs

■ Simplifies circuit design

■ AEC-Q101 qualified

■ Leadless ultra small SMD plastic package

■ Low package height of 0.37 mm

Applications

■ Low-current peripheral driver

■ Control of IC inputs

■ Replaces general-purpose transistors

in digital applications

■ Mobile applications

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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