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DF2S6.8MFS

ESD Protection Diodes Silicon Epitaxial Planar

Applications ? ESD Protection

文件：315.59 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages

TOSHIBA

東芝

DF2S6.8MFS

ESD protection diode (low capacitance type)

Internal Connection：Single\nNumber of Circuits：1\nNumber of Protected Lines：1\nconfiguration：Unidirectional\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰國(guó)\n Electrostatic discharge voltage(IEC61000-4-2) VESD +/-12 kV \nPeak pulse current (IEC61000-4-5) IPP 3 A \n;

Toshiba

東芝

DF2S6.8MFS,L3F

Package：2-SMD，扁平引線；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：電路保護(hù) TVS - 二極管 描述：TVS DIODE 5VWM 15VC FSC

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

DF2S6.8MFS,L3M

Package：SOD-923；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：電路保護(hù) TVS - 二極管 描述：TVS DIODE 5VWM 15VC SOD923

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

技術(shù)參數(shù)

  • Package name：

    SOD-923

  • Width×Length×Height(mm)：

    1.0 x 0.6 x 0.4

  • Configuration：

    Unidirectional

  • ProtectedLines：

    1

  • Application：

    USB2.0/HDMI1.4/DisplayPort1.0

  • Working peakreverse voltageVRWM (Max) (V)：

    5.0

  • ReversebreakdownvoltageVBR (Min) (V)：

    6

  • CT (Typ.) (pF)：

    0.45

  • CT (Max) (pF)：

    0.9

  • Electrostaticdischarge voltage(Based on IEC61000-4-2) (Max) (kV)：

    +/-12

  • Dynamicresistance(Typ.) (Ω)：

    0.35

  • ReversecurrentIR (Max) (μA)：

    0.5

  • Peak pulsecurrent (Max) (A)：

    3

  • Clamp voltage (Based on IEC61000-4-5) (Typ.) (V)：

    9.5

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多DF2S6.8MFS供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-9-6 18:01:00

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