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DF2B6.8M1ACT 電路保護(hù)TVS - 二極管 TOSHIBA/東芝

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  • 廠家型號(hào)：

    DF2B6.8M1ACT

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    TOSHIBA/東芝

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    274500

  • 產(chǎn)品封裝：

    NA/

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-9-22 23:01:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：DF2B6.8M1ACT品牌：TOSHIBA/東芝

優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票

  • 芯片型號(hào)：

    DF2B6.8M1ACT

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    TOSHIBA【東芝】詳情

  • 廠商全稱：

    Toshiba Semiconductor

  • 中文名稱：

    株式會(huì)社東芝

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    8 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    268.18 kb

  • 資料說(shuō)明：

    ESD Protection Diodes Silicon Epitaxial Planar

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 制造商編號(hào)

    ：DF2B6.8M1ACT

  • 生產(chǎn)廠家

    ：東芝

  • Package name

    ：SOD-882 (CST2)

  • Width×Length×Height(mm)

    ：1.0 x 0.6 x 0.38

  • Configuration

    ：Bidirectional

  • ProtectedLines

    ：1

  • Application

    ：USB3.0/DisplayPort1.2

  • Working peakreverse voltageVRWM (Max) (V)

    ：+/-5.0

  • ReversebreakdownvoltageVBR (Min) (V)

    ：6.0

  • CT (Typ.) (pF)

    ：0.3

  • CT (Max) (pF)

    ：0.5

  • Electrostaticdischarge voltage(Based on IEC61000-4-2) (Max) (kV)

    ：+/-12

  • Dynamicresistance(Typ.) (Ω)

    ：0.8

  • ReversecurrentIR (Max) (μA)

    ：0.5

  • Peak pulsecurrent (Max) (A)

    ：2.5

  • Clamp voltage (Based on IEC61000-4-5) (Typ.) (V)

    ：12

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市得捷芯城科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    肖先生

  • 手機(jī)：

    19076157484

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82538261

  • 傳真：

    0755-82539558

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道福虹路9號(hào)世貿(mào)廣場(chǎng)A座5層

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