首頁>DF100R07W1H5FPB53BPSA2>規(guī)格書詳情
DF100R07W1H5FPB53BPSA2數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 |
| 參數(shù)屬性 | DF100R07W1H5FPB53BPSA2 封裝/外殼為模塊；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MOD 650V 40A 20MW |
| 功能描述 | MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2 |
| 封裝外殼 | 模塊 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名稱 | 英飛凌 英飛凌科技股份公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-9 23:01:00 |
| 人工找貨 | DF100R07W1H5FPB53BPSA2價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
DF100R07W1H5FPB53BPSA2規(guī)格書詳情
簡介
DF100R07W1H5FPB53BPSA2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由制造生產(chǎn)的DF100R07W1H5FPB53BPSA2晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號
：DF100R07W1H5FPB53BPSA2
- 生產(chǎn)廠家
：Infineon
- 配置
：2 個獨(dú)立式
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）
：650V
- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）
：40A
- 功率 - 最大值
：20mW
- 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）
：1.55V @ 15V，25A
- 電流 - 集電極截止（最大值）
：40μA
- 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）
：2.8nF @ 25V
- 輸入
：標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻
：是
- 工作溫度
：-40°C ~ 150°C
- 安裝類型
：底座安裝
- 封裝/外殼
：模塊
- 供應(yīng)商器件封裝
：模塊
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DF |
24+ |
NA/ |
6000 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
東洋 |
24+ |
DIP |
80000 |
只做自己庫存 全新原裝進(jìn)口正品假一賠百 可開13%增 |
詢價 | ||
DF |
25+ |
SOT23-5 |
6000 |
原裝正品,假一罰十! |
詢價 | ||
CITC/竹懋 |
20+ |
DFS |
36800 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
Module |
1262 |
原廠原裝正品現(xiàn)貨,代理渠道,支持訂貨!!! |
詢價 | ||
DF |
2016+ |
SOT23-5 |
6000 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
Eupec |
23+ |
MODULE |
7300 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
HIROSE/廣瀨 |
2508+ |
/ |
182881 |
一級代理，原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon |
22+ |
Tray |
500 |
只有原裝 |
詢價 | ||
CITC/竹懋 |
23+ |
DFS |
34000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 |
