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DDTC115EE分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

DDTC115EE
廠商型號(hào)

DDTC115EE

參數(shù)屬性

DDTC115EE 封裝/外殼為SOT-523;包裝為剪切帶(CT);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

功能描述

NPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

封裝外殼

SOT-523

文件大小

303.91 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

DIODES

中文名稱

美臺(tái)半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-7 20:00:00

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DDTC115EE規(guī)格書詳情

特性 Features

? Epitaxial Planar Die Construction

? Complementary PNP Types Available (DDTA)

? Built-In Biasing Resistors, R1 = R2

? Lead Free/RoHS Compliant (Note 1)

? Green Device (Note 3 and 4)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    DDTC115EE-7-F

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    剪切帶(CT)

  • 晶體管類型:

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    82 @ 5mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 250μA,5mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-523

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-523

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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