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絲印下載 訂購(gòu)功能描述制造商 上傳企業(yè)LOGO

DB

型號(hào)：2SD1766P；Package：SOT-89；Medium Power Transistor

Features ?LowVCE(sat),VCE(sat)=0.5V(typical) (IC=2A,IB=0.2A).

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司

DB

型號(hào)：2SD1766Q；Package：SOT-89；Medium Power Transistor

Features ?LowVCE(sat),VCE(sat)=0.5V(typical) (IC=2A,IB=0.2A).

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司

DB

型號(hào)：2SD1766R；Package：SOT-89；Medium Power Transistor

Features ?LowVCE(sat),VCE(sat)=0.5V(typical) (IC=2A,IB=0.2A).

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司

DB

型號(hào)：AP2121AJ4A-3.3TRG1；Package：CSP-4；HIGH SPEED, EXTREMELY LOW NOISE LDO REGULATOR

Features ·LowDropoutVoltageatIOUT=100mA:150mV Typical(Except1.2V,1.3Vand1.5VVersions) ·LowStandbyCurrent:0.1μATypical ·LowQuiescentCurrent:25μATypical ·HighRippleRejection:70dBTypical（f=1kHz） ·OutputCurrent:MoreThan200mA(300mA Limit) ·ExtremelyLowNoise:

DIODESDiodes Incorporated

美臺(tái)半導(dǎo)體

DIODES

DB

型號(hào)：BAT46WH；Package：SOD123F；Single Schottky barrier diode

Featuresandbenefits ?Lowforwardvoltage ?ReversevoltageVR?100V ?SmallandflatleadSMDplasticpackage ?Lowcapacitance ?AEC-Q101qualified

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

NEXPERIA

DB

型號(hào)：BAT46WH-Q；Package：SOD123F；Schottky barrier diode

1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierdiodewithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedina smallandflatleadSOD123FSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Lowforwardvoltage ?ReversevoltageVR≤100V ?Smallandflat

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

NEXPERIA

DB

型號(hào)：BCW67B；Package：SOT-23；PNP General Purpose Amplifier

FEATURES ●ForgeneralAFapplications. ●Highcurrentgain. ●Lowcollector-emittersaturationvoltage. ●Complementarytypes:BCW65,BCW66(NPN). APPLICATIONS ●Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

DB

型號(hào)：BCW67B；Package：SOT-23；PNP General Purpose Amplifier

FEATURES ●ForgeneralAFapplications. ●Highcurrentgain. ●Lowcollector-emittersaturationvoltage. ●Complementarytypes:BCW65,BCW66(NPN). APPLICATIONS ●Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifier andswitchingapplications.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

Db

型號(hào)：BD49E28；Package：SSOP5；Standard CMOS Voltage Detector IC

Description ROHM’sBD48□□G/FVEandBD49□□G/FVEseriesarehighlyaccurate,lowcurrentconsumptionresetICseries.Thelineupwasestablishedwithtowoutputtypes(NchopendrainandCMOSoutput)anddetectionvoltagesrangefrom2.3Vto6.0Vinincrementsof0.1V,sothattheseriesmaybesel

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

ROHM

Db

型號(hào)：BD49E28G；Package：SSOP5；Standard CMOS Voltage Detector IC

Description ROHM’sBD48□□G/FVEandBD49□□G/FVEseriesarehighlyaccurate,lowcurrentconsumptionresetICseries.Thelineupwasestablishedwithtowoutputtypes(NchopendrainandCMOSoutput)anddetectionvoltagesrangefrom2.3Vto6.0Vinincrementsof0.1V,sothattheseriesmaybesel

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

ROHM

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    DB

  • 功能描述：

    穩(wěn)壓二極管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-7

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay Semiconductors

  • 齊納電壓：

    12 V

  • 電壓容差：

    5 %

  • 電壓溫度系數(shù)：

    0.075 %/K

  • 功率耗散：

    3 W

  • 最大反向漏泄電流：

    3 uA

  • 最大齊納阻抗：

    7 Ohms

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    DO-214AC

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
恩XP
24+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
13048
全新原裝正品/價(jià)格優(yōu)惠/質(zhì)量保障
 詢(xún)價(jià)
NEXPERIA/安世
25+
原裝
600000
NEXPERIA/安世全新特價(jià)BZX384-C12即刻詢(xún)購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有排單訂
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57000
全新原裝公司現(xiàn)貨
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12000
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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2021+
NA
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Nexperia(安世)
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120000
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恩XP
24+
SOD-3230805
9200
新進(jìn)庫(kù)存/原裝
 詢(xún)價(jià)
更多DB供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-5 9:38:00

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