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D5N

型號：SN74LVC2G132YZPR；Package：DSBGA；Dual 2-Input NAND Gate With Schmitt-Trigger Inputs

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

D5NK50Z

型號：STD5NK50Z-1；Package：TO-251；N-CHANNEL500V-1.22ohm-4.4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH??ower MOSFET

DESCRIPTION TheSuperMESH?seriesisobtainedthroughanextremeoptimizationofST’swellestablishedstripbasedPowerMESH?layout.Inadditiontopushingon-resistancesignificantlydown,specialcareistakentoensureaverygooddv/dtcapabilityforthemostdemandingapplications.Suchse

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

D5NK50Z

型號：STD5NK50Z-1；Package：TO-251；N-CHANNEL500V-1.22W-4.4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET

DESCRIPTION TheSuperMESH?seriesisobtainedthroughanextremeoptimizationofST’swellestablishedstripbasedPowerMESH?layout.Inadditiontopushingon-resistancesignificantlydown,specialcareistakentoensureaverygooddv/dtcapabilityforthemostdemandingapplications.Suchse

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

D5NK50Z

型號：STD5NK50ZT4；Package：DPAK；N-channel 500 V, 1.22 Ω typ., 4.4 A SuperMESH? Power MOSFETs in I2PAK, DPAK, TO?220, TO?220FP and IPAK packages

Features ?100avalanchetested ?Gatechargeminimized ?Verylowintrinsiccapacitance ?Zener-protected Applications ?Switchingapplications Description Thesehigh-voltagedevicesareZener-protectedN-channelPowerMOSFETs developedusingtheSuperMESH?technologybySTMicroelect

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

D5NM60

型號：STD5NM60-1；Package：IPAK；N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 Ω, 8 A MDmesh? Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAK

Description TheMDmesh?isanewrevolutionaryPower MOSFETtechnologythatassociatesthemultiple drainprocesswiththecompany’sPowerMESH? horizontallayout.Theresultingproducthasan outstandinglowon-resistance,impressivelyhigh dv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.The

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

D5NM60

型號：STD5NM60T4；Package：DPAK；N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 Ω, 8 A MDmesh? Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAK

Description TheMDmesh?isanewrevolutionaryPower MOSFETtechnologythatassociatesthemultiple drainprocesswiththecompany’sPowerMESH? horizontallayout.Theresultingproducthasan outstandinglowon-resistance,impressivelyhigh dv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.The

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

D5NE60C

型號：D5NE60C；Package：TO-252；4.5A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司

D5NE60C

型號：D5NE60C；Package：TO-252；4.5A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司

D5NE60C

型號：D5NE60C；Package：TO-252；4.5A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司

D5NE60C

型號：D5NE60C；Package：TO-252；4.5A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    D5N

  • 功能描述：

    邏輯門 Dual2InptNANDGt w/SchmttTrggrInpt

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 產(chǎn)品：

    OR

  • 邏輯系列：

    LVC

  • 柵極數(shù)量：

    2

  • 線路數(shù)量（輸入/輸出）：

    2/1

  • 高電平輸出電流：

    - 16 mA

  • 低電平輸出電流：

    16 mA

  • 傳播延遲時(shí)間：

    3.8 ns

  • 電源電壓-最大：

    5.5 V

  • 電源電壓-最?。?/span>

    1.65 V

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    DCU-8

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
TI(德州儀器)
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TI
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8XFBGA DSBGA
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TI(德州儀器)
23+
DSBGA-8
9980
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
TI
22+
N/A
2500
進(jìn)口原裝,優(yōu)勢現(xiàn)貨
 詢價(jià)
更多D5N供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 23:00:00

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