D44VH10G分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
D44VH10G |
| 參數屬性 | D44VH10G 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS NPN 80V 15A TO220 |
| 功能描述 | Complementary Silicon Power Transistors |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
104.41 Kbytes |
| 頁面數量 |
5 頁 |
| 生產廠商 | ONSEMI |
| 中文名稱 | 安森美半導體 |
| 網址 | |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-10 11:06:00 |
| 人工找貨 | D44VH10G價格和庫存，歡迎聯系客服免費人工找貨 |
D44VH10G規(guī)格書詳情
D44VH10G屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由安森美半導體公司制造生產的D44VH10G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。
產品屬性
更多- 產品編號：
D44VH10G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
管件
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
400mV @ 400mA，8A
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，1V
- 頻率 - 躍遷：
50MHz
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應商器件封裝：
TO-220
- 描述：
TRANS NPN 80V 15A TO220
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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