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CY7C2265KV18-550BZXC

36-Mbit QDR? II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導體公司

CY7C2265KV18-550BZXC

Package:165-LBGA;包裝:托盤 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

CY7C2265KV18-550BZXI

36-MbitQDR?IISRAMFour-WordBurstArchitecture(2.5CycleReadLatency)withODT

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    CY7C2265KV18-550BZXC

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 同步,QDR II+

  • 存儲容量:

    36Mb(1M x 36)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    165-LBGA

  • 供應商器件封裝:

    165-FBGA(13x15)

  • 描述:

    IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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