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CY7C1911KV18-250BZC

18-Mbit QDR? II SRAM Four-Word Burst Architecture

FunctionalDescription TheCY7C1311KV18,CY7C1911KV18,CY7C1313KV18,andCY7C1315KV18are1.8VSynchronousPipelinedSRAMs,equippedwithQDRIIarchitecture.QDRIIarchitectureconsistsoftwoseparateports:thereadportandthewriteporttoaccessthememoryarray.Thereadporthasdedica

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1911KV18-250BZC

Memories for Embedded Systems - Synchronous SRAMs - QDR-II -;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

CY7C1911KV18-250BZC

Package:165-LBGA;包裝:托盤 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1911KV18-250BZC_12

18-Mbit QDR? II SRAM Four-Word Burst Architecture

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1911KV18-250BZCT

Memories for Embedded Systems - Synchronous SRAMs - QDR-II -;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

CY7C1911KV18-250BZCT

Package:165-LBGA;包裝:卷帶(TR) 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    CY7C1911KV18-250BZC

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 同步,QDR II

  • 存儲容量:

    18Mb(2M x 9)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    165-LBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    165-FBGA(13x15)

  • 描述:

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多CY7C1911KV18-250BZC供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 16:06:00