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CY7C109B-20ZI中文資料賽普拉斯數(shù)據手冊PDF規(guī)格書

CY7C109B-20ZI
廠商型號

CY7C109B-20ZI

功能描述

128K x 8 Static RAM

文件大小

196.52 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產廠商

CYPRESS CypressSemiconductor

中文名稱

賽普拉斯 賽普拉斯半導體公司

網址

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數(shù)據手冊

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更新時間

2025-8-31 23:01:00

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CY7C109B-20ZI規(guī)格書詳情

Functional Description

The CY7C109B / CY7C1009B is a high-performance CMOS static RAM organized as 131,072 words by 8 bits. Easy memory expansion is provided by an active LOW Chip Enable (CE1), an active HIGH Chip Enable (CE2), an active LOW Output Enable (OE), and three-state drivers. Writing to the device is accomplished by taking Chip Enable One (CE1) and Write Enable (WE) inputs LOW and Chip Enable Two (CE2) input HIGH. Data on the eight I/O pins (I/O0 through I/O7) is then written into the location specified on the address pins (A0 through A16).

特性 Features

? High speed

— tAA = 12 ns

? Low active power

— 495 mW (max. 12 ns)

? Low CMOS standby power

— 55 mW (max.) 4 mW

? 2.0V Data Retention

? Automatic power-down when deselected

? TTL-compatible inputs and outputs

? Easy memory expansion with CE1, CE2, and OE options

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