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CY7C109B-12VC集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

CY7C109B-12VC
廠商型號(hào)

CY7C109B-12VC

參數(shù)屬性

CY7C109B-12VC 封裝/外殼為32-BSOJ(0.400",10.16mm 寬);包裝為管件;類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

功能描述

128K x 8 Static RAM

封裝外殼

32-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)

文件大小

196.52 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 CypressSemiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

CYPRESS賽普拉斯

中文名稱

賽普拉斯半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-5 23:01:00

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CY7C109B-12VC規(guī)格書(shū)詳情

Functional Description

The CY7C109B / CY7C1009B is a high-performance CMOS static RAM organized as 131,072 words by 8 bits. Easy memory expansion is provided by an active LOW Chip Enable (CE1), an active HIGH Chip Enable (CE2), an active LOW Output Enable (OE), and three-state drivers. Writing to the device is accomplished by taking Chip Enable One (CE1) and Write Enable (WE) inputs LOW and Chip Enable Two (CE2) input HIGH. Data on the eight I/O pins (I/O0 through I/O7) is then written into the location specified on the address pins (A0 through A16).

特性 Features

? High speed

— tAA = 12 ns

? Low active power

— 495 mW (max. 12 ns)

? Low CMOS standby power

— 55 mW (max.) 4 mW

? 2.0V Data Retention

? Automatic power-down when deselected

? TTL-compatible inputs and outputs

? Easy memory expansion with CE1, CE2, and OE options

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    CY7C109B-12VC

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量:

    1Mb(128K x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    12ns

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    32-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    32-SOJ

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
CY/超音
24+
NA/
3430
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票
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