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CWS65R190BDR數(shù)據(jù)手冊WHXY中文資料規(guī)格書

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廠商型號

CWS65R190BDR

功能描述

N溝道基于超級結技術的功率MOSFET

制造商

WHXY Wuhan Xinyuan Semiconductor Co., Ltd.

中文名稱

芯源半導體 武漢芯源半導體有限公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-18 11:58:00

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CWS65R190BDR規(guī)格書詳情

特性 Features

漏源電壓BV DSS (V)(Min.):650導通電阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):177導通電阻rDS(on)(mΩ)(Max.):190最大漏極電流Id(on)(A):20通道極性:N溝道封裝/溫度(℃):TO-252-2L/-55~125描述:650V,190mΩ,20A,N溝道基于超級結技術的功率MOSFET

技術參數(shù)

  • 制造商編號

    :CWS65R190BDR

  • 生產廠家

    :WHXY

  • 導通電阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)

    :177

  • 導通電阻rDS(on)(mΩ)(Max.)

    :190

  • 最大漏極電流Id(on)(A)

    :20

  • 通道極性

    :N溝道

  • 封裝

    :TO-252-2L

  • 工作溫度(℃)

    :-55-125

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NKKSwitcheso
23+
65600
詢價
China Wind
21+
482
只做原裝,優(yōu)勢渠道 ,歡迎實單聯(lián)系
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23+
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原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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三年內
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