特性 Features

高性能的RISC CPU
·8位單片機(jī)MCU
·內(nèi)置2K×16位程序存儲(chǔ)器FLASH
·128字節(jié)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（SRAM）
·96字節(jié)的E2PROM，用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
·只有43條單字指令
·8級(jí)存儲(chǔ)堆棧 專用微控制器的特性
·上電復(fù)位（POR）
·上電復(fù)位和硬件復(fù)位延遲定時(shí)器（40ms）
·內(nèi)帶低電壓復(fù)位（LVR）
·定時(shí)器0
·— 8位可編程預(yù)分頻的8位的定時(shí)計(jì)數(shù)器
·定時(shí)/計(jì)數(shù)器2
·— 8位可編程預(yù)分頻的8位的分頻器
·定時(shí)/計(jì)數(shù)器3
·— 8位可編程預(yù)分頻的8位的分頻器
·擴(kuò)展型看門狗定時(shí)器（32K WDT）
·— 可編程的時(shí)間范圍 外設(shè)特性
·17位雙向I/O口,1位輸入口
·2路蜂鳴器輸出
·2路PWM輸出
·5個(gè)內(nèi)部中斷，2個(gè)外部中斷
·8個(gè)具有喚醒功能的輸入口
·5路12-bitADC
·內(nèi)部1.4V、VDD、外部輸入三種參考電壓選擇
·帶數(shù)字比較器
·低電壓檢測(cè)（LVD）引腳，內(nèi)部提供2.4V、3.6V電壓檢測(cè)
·6個(gè)開漏輸出口 低功耗特性
·MCU工作電流
·正常模式0.9mA@4MHz(工作電壓3V)
·正常模式8uA@32KHz(工作電壓3V)
·休眠模式下的電流小于1μA 振蕩器
·內(nèi)帶16MHz振蕩器，精度為±1%
·外部32768Hz晶振（RTC）或4MHz~16MHz晶振
·ERC 5V DC~8M CMOS技術(shù)
·電壓工作范圍
·VDD 2.3V~5.5V