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CSD85302L.B中文資料德州儀器數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

CSD85302L.B
廠(chǎng)商型號(hào)

CSD85302L.B

功能描述

CSD85302L 20 V Dual N-Channel NexFET? Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

85302

封裝外殼

PICOSTAR

文件大小

474.29 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 Texas Instruments
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

TI2德州儀器

中文名稱(chēng)

美國(guó)德州儀器公司官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠(chǎng)下載

更新時(shí)間

2025-7-10 23:00:00

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CSD85302L.B規(guī)格書(shū)詳情

1 Features

1? Common Drain Configuration

? Low On-Resistance

? Small Footprint of 1.35 mm × 1.35 mm

? Pb Free and Halogen Free

? RoHS Compliant

? ESD HBM Protection >2.5 kV

2 Applications

? USB Type-C/PD

? Battery Management

? Battery Protection

3 Description

This 20 V, 18.7 mΩ, 1.35 mm × 1.35 mm LGA Dual

NexFET? power MOSFET is designed to minimize

resistance in the smallest footprint. Its small footprint

and common drain configuration make the device

ideal for battery-powered applications in small

handheld devices.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
TI(德州儀器)
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