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CSD19536KCS

CSD19536KCS,100VN-ChannelNexFETPowerMOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

CSD19536KCS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=150A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

CSD19536KTT

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=200A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.4mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

CSD19536KTT

CSD19536KTT100VN-ChannelNexFETPowerMOSFET

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

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100VN-ChannelNexFETPowerMOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

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100VN-ChannelNexFETPowerMOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

L-19536

SURFACEMOUNTDRUMCOREINDUCTOR

RHOMBUS-IND

Rhombus Industries Inc.

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