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CSD19535KTT

采用 D2PAK 封裝的單路、3.4mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET; ? 超低 Qg 和 Qgd\n? 低熱阻\n? 雪崩額定值\n? 無鉛引腳鍍層\n? 符合 RoHS 環(huán)保標準\n? 無鹵素\n? D2PAK 塑料封裝;

這款 100V、2.8mΩ D2PAK (TO-263) NexFET?功率 MOSFET 被設(shè)計成在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中大大降低 損耗。\n\n ?

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

CSD19535KTT

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=200A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.4mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

CSD19535KTT

100V N-Channel NexFET Power MOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

CSD19535KTTT

100V N-Channel NexFET Power MOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

CSD19536KTT

TI
TO-263

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

相關(guān)企業(yè)：深圳市銘微訊電子有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Configuration：

    Single

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：

    3.4

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)：

    400

  • QG typ (nC)：

    75

  • QGD typ (nC)：

    11

  • Package (mm)：

    D2PAK

  • VGS (V)：

    20

  • VGSTH typ (V)：

    2.7

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：

    197

  • ID - package limited (A)：

    200

  • Logic level：

    No

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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TO-2633
10000
原裝正品
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更多CSD19535KTT供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 19:27:00

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