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CSD19531Q5A數(shù)據(jù)手冊TI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

CSD19531Q5A

功能描述

采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、6.4mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名稱

德州儀器 美國德州儀器公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-12 23:00:00

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CSD19531Q5A規(guī)格書詳情

描述 Description

這款 100V,5.3mΩ,SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被設(shè)計(jì)成在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中大大降低損耗。 頂視圖 要了解所有可用封裝,請見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。 RθJA = 40°C/W,這是在一個(gè)厚度 0.06 英寸環(huán)氧樹脂 (FR4) 印刷電路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的銅過渡墊片上測得的典型值。 最大 RθJC = 1.0°C/W,持續(xù)時(shí)間 ≤100μs,占空比 ≤1%

特性 Features

? 超低 Qg 和 Qgd
? 低熱阻
? 雪崩額定值
? 無鉛端子鍍層
? 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
? 無鹵素
? 小外形尺寸無引線 (SON) 5mm x 6mm 塑料封裝

應(yīng)用 Application

初級側(cè)電信應(yīng)用
次級側(cè)同步整流器
電機(jī)控制

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :CSD19531Q5A

  • 生產(chǎn)廠家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :6.4

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :337

  • QG typ (nC)

    :37

  • QGD typ (nC)

    :6.6

  • Package (mm)

    :SON5x6

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :2.7

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :110

  • ID - package limited (A)

    :100

  • Logic level

    :No

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
TI(德州儀器)
24+
VQFN8
9696
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道??珊灡9┖贤?/div>
詢價(jià)
TI
23+
VSONP-8
2500
全新原裝假一賠十
詢價(jià)
TI/德州儀器
23+
VSONP-8
22000
只做進(jìn)口原裝假一罰百
詢價(jià)
TI/德州儀器
22+
SON5x6
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
詢價(jià)
TI
25+
VSON-8
1000
原裝正品,假一罰十!
詢價(jià)
正納電子熱銷
23+
NA
26094
10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品,做服務(wù)型企業(yè)
詢價(jià)
TI(德州儀器)
24+/25+
10000
原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)優(yōu)
詢價(jià)
TI/德州儀器
21+
原廠封裝
1975
詢價(jià)
TI
21+
VSONP-8
2500
全新原裝
詢價(jià)
TI/德州儀器
22+
DFN5X6
18500
原裝正品支持實(shí)單
詢價(jià)