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CSD19531KCS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7.7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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100VN-ChannelNexFEPowerMOSFETs

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

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100VN-ChannelNexFET??PowerMOSFETs

TI1Texas Instruments

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L-19531

SURFACEMOUNTDRUMCOREINDUCTOR

RHOMBUS-IND

Rhombus Industries Inc.

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格

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