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首頁(yè)>CSD18532Q5B>芯片詳情

CSD18532Q5B_TI/德州儀器_MOSFET 60-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET品優(yōu)時(shí)代一部

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

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  • 廠家型號(hào)：

    CSD18532Q5B

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    TI

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    23100

  • 產(chǎn)品封裝：

    18

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2019

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-24 16:20:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：CSD18532Q5B品牌：TI

原裝正品鉆石品質(zhì)假一賠十

  • 芯片型號(hào)：

    CSD18532Q5B

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    TI【德州儀器】詳情

  • 廠商全稱：

    Texas Instruments

  • 中文名稱：

    美國(guó)德州儀器公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    12 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    1464.05 kb

  • 資料說(shuō)明：

    60-V, N-Channel NexFET Power MOSFETs

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    CSD18532Q5B

  • 功能描述：

    MOSFET 60-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市品優(yōu)時(shí)代科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    黃小姐

  • 手機(jī)：

    18025335698

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23612326\18025335698

  • 傳真：

    0755-23612326

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路華康大廈2棟,402-419

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