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首頁(yè)>CSD18509Q5B>芯片詳情

CSD18509Q5B_TI/德州儀器_CSD18509Q5B N-Channel NexFET Power MOSFETs高捷芯城一部

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  • 廠(chǎng)家型號(hào)：

    CSD18509Q5B

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商：

    TI(德州儀器)

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    14548

  • 產(chǎn)品封裝：

    VSON-8

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-30 16:26:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠(chǎng)料號(hào)：CSD18509Q5B品牌：TI(德州儀器)

原廠(chǎng)可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道?？珊灡９┖贤?/p>

  • 芯片型號(hào)：

    CSD18509Q5B_15

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    TI【德州儀器】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    Texas Instruments

  • 中文名稱(chēng)：

    美國(guó)德州儀器公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    15 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    974.45 kb

  • 資料說(shuō)明：

    CSD18509Q5B N-Channel NexFET Power MOSFETs

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)

    ：CSD18509Q5B

  • Configuration

    ：Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    ：1.7

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    ：1.2

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    ：400

  • QG typ (nC)

    ：150

  • QGD typ (nC)

    ：17

  • Package (mm)

    ：SON5x6

  • VGS (V)

    ：20

  • VGSTH typ (V)

    ：1.9

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    ：299

  • ID - package limited (A)

    ：100

  • Logic level

    ：Yes

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市高捷芯城科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    莊小姐

  • 手機(jī)：

    19076157814

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-83061789

  • 傳真：

    0755-82550578

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)華富路1006號(hào)航都大廈10層

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