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CSD090N06S2H數(shù)據(jù)手冊CoolSemi中文資料規(guī)格書

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廠商型號

CSD090N06S2H

功能描述

SGT MOSFET

制造商

CoolSemi Cool Semiconductor Co., Limited

中文名稱

功成半導體 上海功成半導體科技有限公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-14 23:23:00

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CSD090N06S2H規(guī)格書詳情

描述 Description

屏蔽柵MOSFET(Shielded Gate Trench MOSFET, SGT)功率器件柵電極,下半部分是屏蔽柵電極。

CoolSemi的SGT-MOSFET功率器件采用超深溝槽設計,屏蔽柵于源極短接,屏蔽掉了大部分Qgd電荷,大大降低器件的米勒電容,有效提升器件的開關速度,開關損耗更低,溝槽深度加深降低導通電阻,導通損耗更低。

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :CSD090N06S2H

  • 生產(chǎn)廠家

    :CoolSemi

  • RDS(on)(mΩ)@ Typ.

    :7.5

  • RDS(on)(mΩ)@ Max.

    :9

  • V(GS)th(V)

    :2.6

  • Package

    :TO-252

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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